国产最新光刻机多少纳米（中国首台28nm光刻机问世）

1. 国产最新光刻机多少纳米（中国首台28nm光刻机问世）

      国产芯中国“芯”!如果没有华为在通信科技领域的异军突起直接威胁到西方发达国家的核心利益，美国也不会如此丧心病狂的用一个国家的力量对付一个企业，当然我们老百姓也不会去关注芯片这个原本属于科技领域的事情。如今在中国的大街小巷和餐馆排挡，要说什么话题最火，那莫过于“华为5G”和“芯片”这两个话题了。      人们除了惊讶于我国的科技水平居然已经达到了这种地步的时候，也在为我国什么时候才能突破高端芯片的技术封锁而着急。毕竟我们很多人都知道，我国在错过了第一次、第二次工业革命之后，就落后挨打了两百多年的时间，所以每人都都很清楚下一波工业革命的重要性。恰好华为5G的全球领先让我们看到了中国不仅能够赶上第四次工业革命，甚至很大程度上还有引领第四次工业革命的可能，每个人都兴奋不已。      但是目前，我们不得不认识到我国在半导体集成电路方面还和西方发达国家及企业有着不小的差距。在这个节骨眼上，偏偏美国又开始歇斯底里的打击中国科技企业，企图拖慢整个中国的半导体领域发展进程，因此我们很着急，我国何时才能突破芯片的技术封锁呢?      当然，着急是不解决任何问题的，如果着急有用的话，还要那些科研工作者和科学家干什么呢?我们一方面在着急的同时，也得清楚的认识到，即便在西方国家合力封锁我国芯片技术的背景下，我国自己的科技企业，还是取得了突破性的研究结果。      比如我国现有享誉世界的北斗全球定位导航卫星，其中所用的三号芯片现在已经成功的打破了22nm的上限，上海微电子也在当前大背景下加班加点的研制出了能够生产22nm的光刻机。这个消息让全国的科技圈都十分的振奋。      国产光刻机突破22纳米，差距还很大，为啥科研人员如此兴奋?      有不明所以的网友会比较好奇，现在全球最顶尖的芯片是5nm制程技术，甚至连3nm制程的也已经在研发设计中，为什么我们才刚刚到22nm就让国内科研人员异常兴奋呢?原因其实很简单，打个比方在你极度饥饿的时候，别说给你一桌山珍海味了，就是给你一个平淡无奇的白面馒头你都能吃的津津有味!      在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻，在突破关键领域以后，更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁，成功研制22nm光刻机，中国芯正在逐渐崛起。      与此同时，西方发达国家的硅基芯片的制造已经接近了物理极限，“摩尔定律”正在逐渐的失效，我国的芯片技术又在不断的突围。此消彼长之下，我国芯片制造能力追平世界领先水平也只是时间问题而已，更何况我国也在同步研究更加具有竞争力的“碳基芯片”，如果一旦研制成功，我们甚至都不需要再依赖光刻机，那么西方国家的封锁手段也会随之土崩瓦解。      所以，我们不能只是干着急，对于我国的芯片领域发展，还是要充满信心的。

2. 国产最先进光刻机

第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。
而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。

第二，中国进口最先进的光刻机，是7nm。
2018年，中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机，当时预交了1.2亿美元的定金。请注意，当时这台机器还没有交付，而是下订单。
但国内市场上，其实已经有7nm光刻机。在2018年12月，SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。

第三，目前国产最先进的光刻机，应该是22nm。
根据媒体报道，在2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米。
请注意该报道的标题：“重大突破，国产22纳米光刻机通过验收。”
也就是22nm的光刻机，已经是重大突破。
22nm的光刻机，关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权。”

有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。

3. 目前最先进的光刻机

目前最先进的光刻机荷兰生产的。
光刻机，被称为现代光学工业之花，制造难度非常大，全世界只有少数几家公司能够制造。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。在能够制造机器的这几家公司中，尤其以荷兰技术最为先进，价格也最为高昂。
光刻机的技术门槛极高，堪称人类智慧集大成的产物。光刻机是生产大规模集成电路的核心设备，是制造和维护光学和电子工业的基础。光刻机技术目前是世界上最尖端的技术之一，只有少量国家掌握，所以光刻机的价格是非常昂贵的。

相关介绍
光刻机是一个高精尖的技术，其技术难度是全球公认的，如果没有持续强大的研发投入根本不可能到技术领先。ASML从成立至今，对于研发的投入都非常大。研发费用占营收的比例达到22.8%，这个比例是非常高的。正因为有大量资金的投入，所以ASML在关键技术领域一直处于领先地位。
从1991年PAS5000光刻机面市，取得巨大成功开始。再到2000-2001年具有双工作台、浸没式光刻技术的Twinscan XT、Twinscan NXT系列研制成功，到强大的研发投入让ASML的技术一直处于全球领先。虽然ASML是一家荷兰公司，但他背后却有着欧盟以及美国的力量，很多关键技术都由美国以及欧盟国家提供。

4. 中国目前光刻机处于怎样的水平？你知道吗？

前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪，但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗？我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司，有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片，基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到制作高端芯片的要求，技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺制作？
查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作。而且即将推出3纳米工艺制作的芯片。但是据相关信息透露，预计我国第一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与ASML的EUV光刻机还有很大的距离，虽然起步晚，但是国人的不断努力，仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗？
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗，更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管ASML公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机，但是任何零部件都无法避开美国的核心技术，所以美国为了达到控制中国发展，不会让中国轻而易举买到光刻机。
要制作出一台精良的光刻机，要做很多的攻坚，不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面，还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远！在这些精密仪器的背后，同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难，从此不再受他国制约。

5. 中国有可能研发出成熟的光刻机吗？如果能，要多久？

中国目前已经有了成熟的光刻机产品，只是说在技术水平上和光刻机的领头羊ASML差距比较大而已。



我国企业已经量产了90nm制程的光刻机虽说中国在中高端光刻机市场缺乏竞争力，但是在低端光刻机领域还是占据了相当大的市场。目前国内最好的光刻机企业是上海微电子，已经能够生产出来90nm制程的光刻机；据相关报道该企业的28nm制程的光刻机将于2021年正式量产，有生产出7nm芯片的能力。不过现在并没有成品曝光，相关的数据暂时还不能确定。现在的难点就是如何在中高端光刻机领域取得突破，如果一直只是在低端市场摸爬滚打，那么最后的收益相当有限。



光刻机技术落后其实是历史遗留问题其实在上世纪八十年代的时候中国光刻机技术处于世界领先水平，当时ASML还只是一个小公司，在众多企业中并不显眼。为什么中国的光刻机最终全面落后？主要有外企进入中国和不舍得花钱两个原因。在八十年代大量的外企进入中国，带来了众多成熟的产品和技术，芯片就是当时技术含量最高的商品之一。外企的芯片相较于国内的企业来说质量好价格也便宜，于是众多的企业纷纷开始直接购买外企的成品而放弃了自主研发。由于缺乏国内订单大量光刻机企业开始谋求转型，再加上当时国家也并没有进行相关扶持，最终在光刻机领域就慢慢的落后其他国家。



目前国内的研发环境并不算好毫无疑问光刻机算的上目前科技界最顶尖的技术之一，这种技术要完成赶超需要不断的和其他国家交流合作，从他们的产品中吸取经验和教训，进而才能在有限的时间内完成赶超。但是现在是什么情况呢？国外的企业在光刻机领域纷纷拒绝合作，我们只能选择闭门造车。只要美国不放松对国内光刻机企业的围追堵截，那么我们只能投入巨额的资金和技术慢慢追赶。不过ASML公司的产品已经和国内产品差距太大，短时间内没有任何追赶上的可能性。如果我们想要绕过现有的光刻机技术走出一条自研道路，那么需要的时间可能更久。从目前的形势上看，我们的光刻机如果想追上现在国际一流水准的话最起码都要十年以上，想要完成赶超更是天方夜谈。不过现在压力大也是好事，在强压的下的中国企业肯定会更有拼劲，说不定未来会创造奇迹呢？

6. 中国光刻机

中国光刻机历程
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。



1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。



1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。



1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。



1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。



1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。




1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。



1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。



1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。



但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。



九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

7. 光刻机10亿一台仍供不应求，这么贵的光刻机凭什么如此受欢迎？

光刻机到底是个什么东西？这个东西为什么数10亿也是一机难求？有没有这个东西直接关乎到芯片行业的发展。芯片行业是与现在智能化产业息息相关的，甚至说你平常用的手机电脑平板这些智能化产品都离不开这些东西。
手机的芯片性能如何？就是你手机上面最核心的装备处理器这个东西就相当于一个人的大脑，那手机反应速度快不快？打游戏流不流畅，甚至说处理数据的时候快不快都与你本身的这个芯片的强度有关系。芯片的精度越高，本身的性能就越好，现在基本上已经到了五纳米这样的程度，实验室据说已经突破到了两纳米的程度，那个三星和高通估计过一段日子都会推向市场。因为现在手机的芯片直接关乎到手机的价格消，关乎到手机的销售，任何一个手机厂商有了自己的芯片制造技术，那都是非常了不起的。
华为有自己的芯片制造技术，他们会自己研发自己的芯片，而且现在性能上来说已经是赶得上国际一流的水平了，但是核心的问题就是华为不能自己制造它需要去国外代工。之前一直都是台积电生产，因为台积电它也是国外的企业，它的大股东是美国的，所以说我们只具备设计的能力而不具备制造能力，关键就在于这个光刻机这东西就是一把非常精密的手术刀，把一个又一个的元件安装在芯片上面。
而我们没有这种高端的东西，我们现在有的光刻机本身精度基本不超过20纳米，可以说就凭这个东西去制造手机芯片，不可能的。你现在所使用的骁龙7系列的芯片基本上都是在7纳米左右的程度，就算是6系列的芯片也没有10纳米以上的，所以我们现在的光刻机水平还是不够，这东西是处在价格高昂，但技术封锁的状态就是你愿意花钱，国外的一些企业它也不会卖的。

8. 我国光刻机的发展现状怎么样？工业电子市场网

产业链——在半导体产业中占据重要地位
光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是半导体产业中最关键设备，光刻工艺决定了半导体线路的线宽，同时也决定了芯片的性能和功耗。
光刻机产业的上游主要包括光刻机核心组件和光刻机配套设施，下游则主要应用于半导体/集成电路的制造与封装。


产业政策——政策助力光刻机行业发展
从政策环境上来看，我国对于光刻机行业较为重视。其主要表现在对于整个IC产业链企业的政策优待以及对于半导体设备行业的相关规划与推动。其主要表现在资金方面的补助和人才方面的培养，以及进出口，投融资方面的政策扶持。
在各项政策中较为突出的是《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目(02专项)，其以专项的形式组织了一批国内光刻机企业进行了一系列重点工艺和技术的攻关，有效促进了我国光刻机行业的发展。


技术发展——技术仍在不断进步中
光刻机一般可以分为无掩模光刻机和有掩模光刻机，其具体分类如下：

光刻工艺流程较多，占晶圆制造耗时的40%-50%，光刻技术也在不断的发展，自光刻机面世以来，光刻设备已经进行了四次重大的革新，光刻设备所用的光源，也从最初的g-line，i-line历经KrF、ArF发展到了如今的EUV。目前，EUV光刻机设备被ASML完全垄断，ASML的EUV光刻机市占率达到100%。


——以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体产业战略规划和企业战略咨询报告》。