比较存储器读周期和存储器写周期的差别？

1. 比较存储器读周期和存储器写周期的差别？

读写周期：两次存储器读/写操作的最短时间间隔。
存储周期：稍大于读写周期，（在读写周期的基础上加上必要的其他操作）。
读周期或写周期：读写周期具体到或读或写。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。



扩展资料：
存储器读周期用作操作系统或其他运行程序的临时存储介质(称为系统内存)。然而，当电源关闭时，RAM无法保留数据，如果需要存储数据，则必须将其写入长期内存(如硬盘)。因此，RAM有时被称为“可变内存”。
RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)。由于其单位容量价格低廉，DRAM被广泛用作系统的主存储器。

2. 对于整个系统而言,内存的读写周期是指什么

对于整个系统而言，内存的读写周期指的是什么？
答：内存的读写周期指的是，从主板芯片组的内存控制器两次发出一个地址信息给内存的时间间隔。这里应该是“整个”，不是“整理”，抄错题目了。

3. 什么是存储器的存取时间?什么是存取周期?两者之间有什么区别

存取时间是每次向内存写入（读出）数据到完成所需要的所有时间，如写入时间是指从存储器接收到数据到写入被选中位置所需要的时间 读出同理
存取周期是值 存储器进行连续两次独立的读（写）操作所需要的最小时间间隔，
通常存取周期大于存取时间

4. 存储周期是指

　　存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间

　　体现主存的速度 （纳秒ns）

　　存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-3ms=10-6s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条

　　存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期、存取时间等）表示。

　　存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。

　　命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的（3－1）关系式计算。

　　·······（3－1）

　　整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：

　　T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）

　　当命中率H→1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。

5. 5、对于整理系统而言，内存的读写周期指的是什么

对于整个系统而言，内存的读写周期指的是什么？
答：内存的读写周期指的是，从主板芯片组的内存控制器两次发出一个地址信息给内存的时间间隔。这里应该是“整个”，不是“整理”，抄错题目了。

6. 存储周期是指

存储周期，是指主存储器两次启动操作之间需要的最小时间间隔，也称之为主存储器周期时间。存储周期具有以下特点：1、存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间体现主存的速度；2、存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写；3、存储周期，通常用访问周期T表示；4、存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。

7. 内存的读写周期由什么决定的， 请详细说明.

SPD  TRC
444 12 16
 555 15 20 
333 8 12
记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标

8. 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期？

存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。
以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。

扩展资料
存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。
字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。
参考资料来源：百度百科——存取周期
参考资料来源：百度百科——存取时间