光刻机和光刻胶有区别吗?

2024-05-13 23:45

1. 光刻机和光刻胶有区别吗?

   有。光刻胶是光刻机研发的重要材料,是微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,想要在硅片表面留下痕迹就需要在其表面涂上光刻胶。光刻胶抗蚀性、表面张力上都有极高的要求,光刻胶布不止应用在芯片还有高端面板、发光二极管等。光刻机需要在光刻胶的基础上才开始画图作业。

光刻机和光刻胶有区别吗?

2. 什么是光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。[1]光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。

目的
硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:光刻胶原理,小孔成像!技术源头,古老的相机!

(1)将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;

(2)在后续工艺中,保护下面的材料(例如刻蚀或离子注入阻挡层)。

分类
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型
采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。
光分解型
采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。

光交联型
采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。

在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。曝光显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性。

含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,硅烷,含Si的丙烯酸树脂等。

3. 光学胶和光刻胶的区别?

光学胶和光刻胶的区别:状态不同。光学胶属于永久性主材,光刻胶属于制程用辅材,光学胶原材料呈固态状态,光刻胶原材料呈液态状态。光学胶是用于胶结透明光学元件的特种胶粘剂,要求具有无色透明,光透过率在90%以上,胶结强度良好,可在室温或中温下固化,且有固化收缩小等特点,在配制时通常要加入一些处理剂,以改进其光学性能或降低固化收缩率。【摘要】
光学胶和光刻胶的区别?【提问】
光学胶和光刻胶的区别:状态不同。光学胶属于永久性主材,光刻胶属于制程用辅材,光学胶原材料呈固态状态,光刻胶原材料呈液态状态。光学胶是用于胶结透明光学元件的特种胶粘剂,要求具有无色透明,光透过率在90%以上,胶结强度良好,可在室温或中温下固化,且有固化收缩小等特点,在配制时通常要加入一些处理剂,以改进其光学性能或降低固化收缩率。【回答】

光学胶和光刻胶的区别?

4. 光刻机是干什么用的

刻机是用来制造芯片的。光刻机又被称为掩膜对准曝光机,在芯片生产中用于光刻工艺,而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步,所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备。

光刻机是干什么用的

光刻机决定了芯片的精密尺寸,设计师设计好芯片线路,在通过光刻机将线路刻在芯片上,其尺度通常在微米级以上。

光刻机是芯片生产中最昂贵也是技术难度最大的设备,因为其决定了一块芯片的整体框架与功能。

其实生产高精度芯片并不难,只是生产速度太慢,而光刻机能快速生产高精度的芯片,所以很重要。

5. 光刻机是干什么用的

光刻机就是用光来雕刻的机器,是用来实现光线侵蚀光刻胶的目的。所以说,光刻机就是把很大的电路图,通过透镜缩小到芯片那么大,然后用光线侵蚀掉光刻胶,达到自动形成电路的目的。
光刻机是非常复杂的机械,目前最厉害的光刻机生产商就是荷兰的ASML,他们现在已经能够生产刻出5nm线路的光刻机了。

光刻机的分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动。
手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度不高。
半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐。
自动:指的是从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。

光刻机是干什么用的

6. 光刻机是什么东西?

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
光刻机的品牌众多,根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类:
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常七纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。

国外品牌主要以荷兰ASML(镜头来自德国),日本Nikon(intel曾经购买过Nikon的高端光刻机)和日本Canon三大品牌为主。
位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机,形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机,分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。

7. 光刻机是什么

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8. 什么是光刻机

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