关于三极管饱和导通的问题

1. 关于三极管饱和导通的问题

先求出此电路的Ib：=(Vce-0.7)/R1≈0.3mA。再求出此电路的最大Ic：（此时，可假设此晶体管是短路的）=Vc/R2≈1.6mA。再反推求出此电路中的晶体管要达到Ic=1.6mA时所需的放大倍数Hfe：
=Ic/Ib≈5.3倍。以上的计算说明：当这个晶体管的放大倍数大于5.3时，此晶体管就能处于饱和状态。由于晶体管存在饱和压降，此压降值一般为0.1~0.3V，所以此电路通电后，三个电极的电位应该是Vb>Vc>Ve。这也说明此晶体管已经进入饱和状态。结论：此电路能够进入饱和状态。

2. 谁知道用mos管控制导通三极管的和继电器控制导通各有什么区别特点或者说应用场合？

三极管：最熟悉，不过管耗很大，效率不高，且速度慢。
MOS管：理论上很容易控制，而且速度快，实际控制的话并不容易，需要专用驱动芯片，而且关闭比开启要难得多，经常会出现关不断的情况（特别是对于新手）。
继电器：在6A这种场合，你可以考虑固态继电器，控制起来非常方便，开关几十万次问题不大。不过你要是频繁开启（比如每秒钟要开关几十次），并不合适。

3. 三极管和MOS管做开关管时，一般怎么选择？

mos管的优点，三极管和mos管的应用场合

4. 三极管和MOS管，开关速度谁快呀？

三极管的速度快。
一般说开关时间指截止到饱和导通互相转换的时间，BJT因为载流子的问题，无法快速截止，就是从饱和导通到截止的时间过长。
如果BJT要获得短的关断时间，必须工作于接近饱和但又不饱和的状态，所以频率超过20KHZ以上，对效率要求高的应用不应该选用BJT。
而对于普通的大功率MOS，开关时间是NS级的，频率2MHZ下的各种开关应用都可以应付。但是，MOS的价格高，耐压低，有开关寿命限制。
MOS的输入相当于一个电容负载，这个电容是影响MOS开关速度的主要因素，所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。

扩展资料：
等效电容对MOS管的影响：
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。
电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。
由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。
它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
参考资料来源：
百度百科—三极管
百度百科—MOS管
百度百科—PN结
百度百科—电容

5. 急求：使三极管处于饱和导通状态，需要满足的条件是什么？

从电压上描述是：三极管发射结正向偏置， 集电结零偏置或正向偏置；
Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。
从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：
Ib * β > Ic ≈ Vcc / Rc，电源电压除以集电极电阻。

6. 三极管怎么由饱和导通转换成放大状态？

减小基极电流.使VCE增加,三极管就由饱和导通转换成放大状态


这种说法不对,VCE也起着重要的作用,VCE=VCC时就是截止状态,VCE接近0V时就是饱和状态,饱和时VCE有可能小于VBE,还要,要想放大器的失真小,就要远离饱和和截止这两个状态,接近这两个状态时,放大器就已经不是线性的了

7. 功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点？

功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：
1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。

2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

8. mos管跟三极管的区别我是这样通俗理解的。

三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你