1. 电路与模拟电子技术第二版课后答案 主编:殷瑞祥 请发邮箱:bwtjsg@qq.com 谢谢
第1章 电 阻 电 路
1.1 正弦交流电 交流电
1.2 电流 电压 功率
1.3 电压 电流 功率
1.4 幅值 相位 频率
1.5 幅值 相位 频率
1.6
1.7 相电压 线电压 220V 380V
1.8 星型 三角形
1.9 3
1.10 超前 滞后 同相
1.11
1.12——1.25 F F T T F F T F F T T F T T
1.26 答:(1) 固定电阻器可分为碳膜电阻器、金属氧化膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器和贴片式电阻器等。
① 碳膜电阻器:碳膜电阻器以碳膜作为电阻材料,在小圆柱形的陶瓷绝缘基体上,利用浸渍或真空蒸发形成结晶的电阻膜(碳膜)。电阻值的调整和确定通过在碳膜上刻螺纹槽来实现;
② 金属氧化膜电阻器:金属氧化膜电阻器的电感很小,与同样体积的碳膜电阻器相比,其额定负荷大大提高。但阻值范围小,通常在200Kω以下;
③ 金属膜电阻器:金属膜电阻器的工作稳定性高,噪声低,但成本较高,通常在精度要求较高的场合使用;
④ 线绕电阻器:线绕电阻器与额定功率相同的薄膜电阻相比,具有体积小的优点
⑤ 贴片式电阻器:贴片式电阻器的端面利用自动焊接技术,直接焊到线路板上。这种不需引脚的焊接方法有许多优点,如重量轻、电路板尺寸小、易于实现自动装配等。
(2) 电位器根据电阻体的材料分有:合成碳膜电位器、金属陶瓷电位器、线绕电位器、实心电位器等
① 合成碳膜电位器:分辨率高、阻值范围大,滑动噪声大、耐热耐湿性不好;
② 金属陶瓷电位器:具有阻值范围大,体积小和可调精度高(±0.01%)等特点;
③ 线绕式电位器:线绕式电位器属于功率型电阻器,具有噪声低、温度特性好、额定负荷大等特点,主要用于各种低频电路的电压或电流调整;
④ 微调电位器:微调电位器一般用于阻值不需频繁调节的场合,通常由专业人员完成调试,用户不可随便调节。
2. 基本电路与电子学课后习题。求答案。
给,请采纳
3. 电路与电子技术复习资料
电子技术期末复习资料
(2010年春)
一、填空题
1、常用半导体材料是 和 ,其原子核最外层均有 个价电子。
2、PN结最主要的特性是 。
3、三级管的三个电极分别叫做 、 和 。
4、二极管实质上就是一个 ,P区引出端叫 ,N区引出端叫 。
5、三极管输出特性曲线可划分为 区、 区和 区。
6、硅管死区电压是 V,正向导通压降是 V。
7.本征半导体中的自由电子浓度___ ___空穴浓度。
8.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于___ ___。
9.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是____ __和___ ___。
10.晶体管能够放大的外部条件是发射结_________、集电结 。
11. 测得晶体管BCE三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为___ __ 。
12.场效应管的漏极电流是由 _____ ____ 的漂移运动形成。
13.集成运放是一种高增益的、 _________ 耦合的多级放大电路。
14. 放大电路中有反馈的含义是 ___ ____ 。
15. 根据反馈的极性,反馈可分为 _______ 反馈和 反馈。
16.一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。
17. 当逻辑函数有n个变量时,共有 个变量取值组合。
18.三极管作为开关使用时,要提高开关速度,可 。二、单项选择题
1、具有记忆功能的是( )。
a、与非门 b、异或门 c、加法器 d、触发器
2、下列逻辑定理错误的是( )。
a、aa=a b、a+1=a c、a+1=1 d、a+a=a
3、(1011001)2 = ( )
a、13 b、59 c、89 d、131
4、要求各项整流指标好,但不要逆变的小功率场合应采用( )电路。
a、单相全控桥 b、单相半控桥 c、三相半波 d、三相半控桥 6、三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差( )。
a、60° b、90° c、120° d、180°7、7、三相半控桥整流电路a = 0时脉动电压,最低脉动频率是( )。
a、2f b、3f c、4f d、6f
8、逻辑表达式a+ab等于( )。
a、a b、1+a c、1+b d、b
9、双稳态触发器原来处于“1”状态,想让它翻转为“0”态,可以采用触发方式是( )。
a、单边触发 b、多边触发 c、计数触发 d、负触发
10、在三相半波可控整流电路中,当负载为感性时,负载电感越大,其( )导通角越大。
a、输出电压越低 b、输出电压越高 c、输出电压恒定不变 d、输出电压不变
11、改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用( )。
a、变电阻 b、变电容 c、变电感 d、变电压
12、三相零式晶闸管可控硅整流电路每次每隔( )换流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
13、集成运放输入端并接二个正反向二极管其作用是( )。
a、提高输入阴抗 b、过载保护 c、输入电压保护 d、电源电压保护
14、反相加法运算rf=100k,r1 i =50k r2 i =25k,其平衡电阻r’应是( )。
a、16.67 k b、1.67 k c、20k d、14.3k
15、集成运算电压跟随器应是( )。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = 1 d、af = 0
16、集成运算微分器输出电压应等于( )。
a、rfcdui/dt b、-rfcdui/dt c、∫uidt rc d、-∫uidt rc
17、单相半波可控整流电路大电感负载,接有续流二极管,若a = 60° ilav=10a,则续流二极管中的电流有效值是( )。
a、10a√13 b、10a√12 c、10a√23 d、10a
18、共阴极单相半控桥整流电路给电动势e的蓄电池充电,晶闸管实际承受的最大正反向电压是( )。
a、2u2—e b、 2+e c、 2 d、e
19、三相全控桥接大电感负载时输出电流的波形是( )。
a、正弦波 b、断续波 c、连续近似直线 d、近似矩形波
20、三相半控桥整流电路,若为大电感负载a=900时,续流二极管每周期的导通角度为( )。
a、3χ300 b、3χ600 c、300 d、600
21.组合电路是由( )组成的。
a、存储电路 b、门电路 c、逻辑电路 d、数字电路
22.晶闸管由导通变为截止的条件是( )。
a、控制电压减小 b、控制电压反向 c、控制电压为零 d、阳极电压为零
23.( 51 )10 = ( )2
a、(1110011)2 b、(110011)2 c、( 001111)2 d、(1111000)2
24.要求各项整流指标较好,大功率高电压的场合应采用( )电路。
a、单相全控桥 b、三相半波 c、三相半控桥 d、三相全控桥
25.三相全控桥整流电路当控制角a = 00时,空载整流输出电压平均值为( )。
a、0.45 u2φ b、0.9 u2φ c、1.17 u2φ d、2.34 u2φ
26.三相半控桥整流电路a = 0时脉动电压,最低脉动频率是( )。
a、2f b、3f c、4f d、6f
27.三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差( )。
a、60° b、90° c、120° d、180°
28.双稳态触发脉冲过窄,将会使电路出现后果是( )。
a、空翻 b、正常翻转 c、触发不翻转 d、不定
29.“异或”门电路的逻辑功能表达式是( )。
a、a b c b、a+b+c c、a b+c b d、 b +
30.用于把矩形波脉冲变为尖脉冲的电路是( )。
a、r耦合电路 b、rc耦合电路 c、微分电路 d、积分电路
31.三相桥式晶闸管可控硅整流电路每次每隔( )换流一次。
a、60° b、120° c、150° d、180°
32.电感足够大的负载三相桥式晶闸管可控整流电路,当控制角a=90°时,直流输出平均电压为( )。
a、0.9 u2φ b、1.17 u2φ c、2.34 u2φ d、0 u2φ
33.反相加法运算集成电路,输出.输入电压关系为u0= -( 4u1i +2u2i ) ,当rf=100k时,r1i应是( )。
a、100k b、50k c、20k d、10k
34.集成运算反相器应是( )。
a、af =1 b、af = ∞ c、af = -1 d、af = 0
35.集成运算积分器应是( )。
a、u0 =∫uidt rc b、u0 = -∫uidt rc
c、u0 = rfcdui dt d、u0 = rfcdui dt
36.集成运算放大器为扩大输出电流可采用( )。
a、输出端加功率放大电路 b、输出端加电压放大电路
c、输出端加射极跟随器 d、输出端加三极管反相器
37.单相全控桥整流电路,按电阻性负载要求已设计安装调试完毕,今改接蓄电池负载,在输出电流不变的前提下则( )。
a、变压器容量需增大 b、晶闸管容量加大 c、两者容量都加大 d、两者容量可不变
38.三相桥式全控整流电路,同一相所接的两只晶闸管触发脉冲之间的相位差是( )。
a、60° b、120° c、150° d、180°
39.三相全控桥接大电感负载时,晶闸管的导通角为( )。
a、小于90° b、90° c、大于90° d、120°
40.晶闸管变流装置产生高次谐波的原因是( )。
a、周期性的非正弦波 b、变压器的漏抗 c、电感负载 d、电容负载三、简答题
1、为什么温度对二极管正向特性影响小,而对反向特性影响很大?
2、在数字系统中为什么要采用二进制?
3、双管直接耦合放大电路有什么优点?试说明其稳定工作点的原理。
4、什么是逻辑变量?什么是逻辑函数?它们与普通代数中的变量和函数有何异同?
5、三极管有哪三种工作状态,其特征分别是什么?
6、什么叫本征半导体和掺杂半导体?后者和前者相比有哪些特点?
四、计算题
请将下面逻辑表达式化简为最简与或表达式:
1)
2)Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
3)
4)Y=∑m(0. 2.3.5.6.7.)
4. 大学电路与电子技术课后习题。。。。
由题可知,设U=220(0度)V,则有:
右边支路上电流:i1=2000/(220x0.5)(-60度)=18.18(-60度)A,
电阻:R=2000/(i1)平方=6.05欧,
电感:L=Rtanarccos0.5/314=33mH,
电容:C=2000/(314x220平方)(tanarccos0.5-tanarccos0.866)=152微法。
5. 电路与电子技术基础习题
如图
6. 电路与模拟电子技术基础习题
7. 电路与模拟电子技术段祥瑞答案
电路与模拟电子技术期末复习题纲要及解答
-
殷瑞祥
1
.电阻:特性——欧姆定律
在关联参考方向下,电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,比例系数为电阻元件的参数——电阻值
电容:功率可正可负,有时吸收能量,有时放出能量,但本身不消耗能量(无损)
。
,
电感:功率可正可负,有时吸收能量,有时放出能量,但本身不消耗能量(无损)
。
电压源:实际电压源(简称电压源)随着输出电流的增大,端电压将下降,可以用理想电压源和一个内
阻
R
0
串联来等效。
电流源:实际电流源(简称电流源)可以用理想电流源与内阻并联来表示,当电流源两端电压愈大,其输
出的电流就愈小。当实际电流源的内阻比负载电阻大得多时,往往可以近似地将其看作是理想电流源。
2
.理想电压源特点:理想电压源两端的电压值不随电流变化,因此,理想电压源的两端不能被短路(电
阻值为
0
)
,否则,将流过无穷大电流。
常用的电池在正常工作范围内近似为理想电压源(恒压源)
。使用中不能将其两个电极短路,否则将损坏。
理想电流源特点:流过理想电流源的电流值不随电压变化,因此,理想电流源的两端不能被开路(电
阻值为
)
,否则,将产生无穷大电压。
现实世界中理想电压源和理想电流源都是不存在的,它们只是实际电源在一定条件下的近似(模型)
。
3.
最大功率条件:最大功率传输定理:若(等效)电源参数确定(
U
S
和
R
0
)
,当且仅当负载电阻
R
L
= R
0
时
负载从电源(电源传输给负载)获得最大功率。
4.
三相交流电
星型接法的相电压与线电压的区别及定义
线电压幅度是相电压的根号
3
倍,线电压相位比对应相电压超前
30
度。
5.
阻抗的定义——正弦稳态电路中,无源二端网络
(
元件
)
的电压相量与电流相量之比称为该二端网络的阻
抗,记作
Z
,阻抗具有电阻的量纲,单位欧姆
(W)
。
Z=U/I=1/Y
其中
Y
为导纳。
复数的实部与虚部的定义:
一般情况下,阻抗
Z
和导纳
Y
是复数,而且都是频率的函数。
电阻元件的阻抗为实数,是纯阻元件,阻抗角为
0
°
8. 电路与电子技术 求答案
如图所示: