IRF640的基本参数

1. IRF640的基本参数

IRF640，采用TO-220AB 封装方式。晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:18A电压, Vds 最大:200V开态电阻, Rds(on):0.15ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:150W封装类型:TO-220AB晶体管类型:MOSFET热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电流, Id 连续:18A电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V阈值电压, Vgs th 最高:4V

2. irf540n的产品的基本参数

参数：
1、针脚数：3；
2、功率Pd：120W；
3、引脚节距：2.54mm；
4、满功率温度：25°C；
5、功耗：94W。
irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY等，封装类型为TO-220AB。

扩展资料
主要作用：
1、由于irf540n主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组irf540n，irf540n一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。     
2、irf540n为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小。
参考资料来源：百度百科-irf540n

3. irf540n的产品的基本参数

参数：
1、针脚数：3；
2、功率Pd：120W；
3、引脚节距：2.54mm；
4、满功率温度：25°C；
5、功耗：94W。
irf540n的生产厂家是SANYO、IR、VISHAY等，封装类型为TO-220AB。

扩展资料
主要作用：
1、由于irf540n主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组irf540n，irf540n一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。   
2、irf540n为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小。
参考资料来源：百度百科-irf540n

4. irfp460的参数

irfp460参数：
FET 型：MOSFETN 通道，金属氧化物
开态Rds（最大）Id, Vgs       25° C：270 毫欧          12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id)  25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V     250µA
闸电荷(Qg)  Vgs：210nC     10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF     25V
功率 - 最大：260W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247AD
包装：管件

扩展资料
选择一个好的处理器
目前市面上的处理器就两种，一种AMD、一种英特尔，AMD价位便宜，处理速度和整体性能比英特尔要差一点，英特尔高端处理器比较低多，如果购买5000元以上的机子，就别考虑AMD了。
首先要确定电脑用途是干什么的，简单办公、简单家用，这个价位可以控制在3000以内元的价位段，CPU的选择就在英特尔奔腾和酷睿i3，显卡没有要求也可以选i5的，AMD可以选择瑞龙3，瑞龙5的基本都没有问题。
游戏和做图用，这个价位在5000元以内的可以选英特尔i5和瑞龙7的处理器，搭配上一个好的显卡，基本就ok了，像这个配置像现在主流的一些游戏随便整。
处理器现在目前市面上有三个版本，原盒，工包，散片，其中散片最便宜，下来是工包，原盒最好，散片就是别人使用过，或者测试过，或者有一点小问题反过厂。
参考资料来源：百度百科—irfp460

5. IRFP460的介绍

IRFP460是一种分离式半导体产品，也可称IRFP460IX，用于通用型场效应管，最大功率可达260W，极限电压可达500V。

6. IRF460与IRFP460 的区别

IRFP460与IRFP460A功率和电流相同，都是280W，20A，最主要的不同是IRFP460，VGS是±20V，IRFP460A VGS是±30V，相比而言IRFP460A优于IRFP460。
IRFP460LC是IR公司新一代功率mosfet，是对原460的再改进，主要参数变化为门极耐压提高到正负30V，输入电容大为减小（原先一半还小）驱动功率也相应减小，开通延时时间略微增加，但大大减小了存储时间Ts。用IRFP460LC代替460使得性能更佳。

基本信息：
FET 型：MOSFETN 通道，金属氧化物
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V
功率 - 最大：260W

7. IRF460与IRFP460 的区别

IRFP460与IRFP460A功率和电流相同，都是280W，20A，最主要的不同是IRFP460，VGS是±20V，IRFP460A VGS是±30V，相比而言IRFP460A优于IRFP460。
IRFP460LC是IR公司新一代功率mosfet，是对原460的再改进，主要参数变化为门极耐压提高到正负30V，输入电容大为减小（原先一半还小）驱动功率也相应减小，开通延时时间略微增加，但大大减小了存储时间Ts。用IRFP460LC代替460使得性能更佳。

基本信息：
FET 型：MOSFETN 通道，金属氧化物
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V
功率 - 最大：260W

8. IRFP460、IRFP460A、IRFP460LC它们有什么不同，能否可以替换？

IRFP460A为IRFP460的升级，主要变化为VGS由正负20V提升到了正负30V，Qg和Qgd减小为原来的一半，关闭延时大幅度减小，输入输出电容大幅度减小。替换情况需要根据实际使用条件判断【摘要】
IRFP460、IRFP460A、IRFP460LC它们有什么不同，能否可以替换？【提问】
IRFP460A为IRFP460的升级，主要变化为VGS由正负20V提升到了正负30V，Qg和Qgd减小为原来的一半，关闭延时大幅度减小，输入输出电容大幅度减小。替换情况需要根据实际使用条件判断【回答】
IRFP460与IRFP460A功率和电流相同，都是280W，20A，最主要的不同是IRFP460，VGS是±20V，IRFP460A VGS是±30V，相比而言IRFP460A优于IRFP460。【回答】
IRFP460LC是IR公司新一代功率mosfet，是对原460的再改进，主要参数变化为门极耐压提高到正负30V，输入电容大为减小（原先一半还小）驱动功率也相应减小，开通延时时间略微增加，但大大减小了存储时间Ts。用IRFP460LC代替460使得性能更佳。【回答】
以上就是我对您问题的解答【回答】