mos管漏源导通电阻

1. mos管漏源导通电阻

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
对于实际的MOSFET，考虑到源、漏的串联电阻，则总的导通电阻应该是 Ron+Rs+Rd.

2. ASEMI场效应管7N60的压降是多少？

7N60参数描述
型号：7N60
封装：TO-220
特性：低功耗场效应管
电性参数：7A 600V
连续二极管正向电流(IS)：7A
脉冲二极管正向电流(ISM)：28A
漏源电压(VDSS)：600V
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：1.2Ω
源-漏二极管压降(VSD)：1.5V
漏源击穿电流(IDSS)：1uA
反向恢复时间(trr)：648NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
 
7N60插件封装系列。它的本体长度为16.0mm，加引脚长度为29.5mm，宽度为10.35mm，高度为4.55mm，脚间距为2.54mm。7N60有低栅极电荷、快速切换、100%雪崩测试，改进的dv/dt功能等特性。

3. mos管7n65做led电源多少瓦

7n65的电流最大可达6.5A,但mos管不同于三极管,它的导通电阻比大功率三极管大了一个数量级以上,容易发热,因此,它们在电路中的实际电流一般在1/10以下,如散热做得好可略高些,在220v电源下这个管子通常在50w左右的电源中使用,最大不应大于100w.

4. mos管的主要参数

1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。5. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA/V的范围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

5. ASEMI的MOS管6N65参数规格是多少？

6N65参数描述
型号：6N65
封装：TO-220
特性：大电流MOS管
电性参数：6A 650V
芯片材质：GPP
连续二极管正向电流(IS)：6A
脉冲二极管正向电流(ISM)：24A
二极管正向电压(VSD)：1.4V
栅极漏电流(IDSS)：1uA
反向恢复时间(trr)：290NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
 
6N65大电流场效应管封装系列。6N65具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

6. 源极和漏极的导通电阻哪个更大些，各自大致为多少欧姆？

是MOS管吧。导通电阻指栅极加上足够的电压，使MOS管的漏极和源极导通，导通电阻随型号而变化，从欧姆级到毫欧姆级的都有。

7. ASEMI高压MOS管12N65的电性参数是多少？

12N65参数描述
型号：12N65   
封装：TO-262、TO-220/220F、TO-247
特性：高压MOS管
电性参数：12A  650V
正向电流(Io)：12A
正向电压(VF)：1.4V
浪涌电流Ifsm：48A
G极漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：380ns
引线数量：3
 
12N65的TO-262封装系列。它的本体长度为9.4mm，加引脚长度为23mm，宽度为10.2mm，高度为4.7mm。12N65的特性有：低固有电容、优异的开关特性、扩展安全操作区、无与伦比的栅极电荷：Qg= 44nC（典型值）等。12N65广泛应用于工业领域、新能源领域、交通领域、绿色照明领域。

8. ASEMI场效应管20N20是N沟道还是P沟道？

20N20在TO-220F封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。20N20的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为20A，漏源电压(VDSS)为200V，二极管正向压降(VSD)为1.5V，反向恢复时间(trr)为158NS。

20N20参数描述
型号：20N20
封装：TO-220F
特性：低功耗场效应管
电性参数：20A 200V
连续二极管正向电流(IS)：20A
脉冲二极管正向电流(ISM)：72A
漏源电压(VDSS)：200V
栅极阈值电压(VGS)：±30V
静态漏源导通电阻(RDS(on))：0.18Ω
二极管正向压降(VSD)：1.5V
零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA
反向恢复时间(trr)：158NS