砷化镓太阳能电池生产厂家有谁

1. 砷化镓太阳能电池生产厂家有谁

亲亲，您好~我是职场达人小雅为您查询到：砷化镓太阳能电池生产厂家如下：1、乾照光电：2020年报显示，公司的营业收入13.16亿元，近3年复合增长13.03%。公司是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，产品包含砷化镓、氮化镓LED产品。公司于2020年5月22日在互动平台表示，公司自2014年起即大规模量产氮化镓LED外延片和芯片。2、亚光科技：2020年营业收入18.13亿，同比增长-17.81%。5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量产；砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术在芯片制造领域与三安光电深度进行合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链。亚光科技2017年年报披露，其与西安电子科技大学在合作研制第三代半导体项目。3、南大光电：公司2020年实现总营收5.95亿，同比增长85.13%。建设的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项——超大规模集成电路制造装备及成套工艺。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。4、海特高新：2020年报显示，海特高新的营业收入9.64亿元，同比增长19.34%。已完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等在内的6大类工艺产品的研发。5、云南锗业：公司2020年实现总营收6.7亿，同比增长60.12%。2017年公司及子公司共生产生产砷化镓单晶片28.54万片。【摘要】
砷化镓太阳能电池生产厂家有谁【提问】
亲亲，您好~我是职场达人小雅为您查询到：砷化镓太阳能电池生产厂家如下：1、乾照光电：2020年报显示，公司的营业收入13.16亿元，近3年复合增长13.03%。公司是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，产品包含砷化镓、氮化镓LED产品。公司于2020年5月22日在互动平台表示，公司自2014年起即大规模量产氮化镓LED外延片和芯片。2、亚光科技：2020年营业收入18.13亿，同比增长-17.81%。5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量产；砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术在芯片制造领域与三安光电深度进行合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链。亚光科技2017年年报披露，其与西安电子科技大学在合作研制第三代半导体项目。3、南大光电：公司2020年实现总营收5.95亿，同比增长85.13%。建设的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项——超大规模集成电路制造装备及成套工艺。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。4、海特高新：2020年报显示，海特高新的营业收入9.64亿元，同比增长19.34%。已完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等在内的6大类工艺产品的研发。5、云南锗业：公司2020年实现总营收6.7亿，同比增长60.12%。2017年公司及子公司共生产生产砷化镓单晶片28.54万片。【回答】
亲亲，砷化镓太阳电池是由砷化镓材料制成的太阳电池。太阳电池亦称“光伏器件”或“光电池”，是利用光生伏特效应将太阳光的能量直接转换为电能的固态电子器件。由砷化镓制成的太阳电池禁带宽度较常规硅质太阳能电池宽，使其光电效率较常规硅质太阳能电池高，多结的更是达到50％以上。耐温性也较常规硅质电池高，但较脆，一般制成砷化镓薄膜覆于衬底上。【回答】

2. 砷化镓太阳能电池的简介

技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍聚光电池系统受到研究者的重视[1]。聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。高倍聚光电池具有代表性的是砷化镓（GaAs）太阳电池。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有较好的性能

3. 氮化镓龙头企业有哪些？

1、三安光电
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2、闻泰科技
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。

3、耐威科技
公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。

4、南大光电
公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

5、海陆重工
旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓（ GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

氮化镓的性质与稳定性：
1、如果遵照规格使用和储存则不会分解。
2、避免接触氧化物，热，水分/潮湿。
3、GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。
4、在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低，这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。
5、GaN不被冷水或热水，稀的或浓的盐酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的浓碱中也是稳定的，但在加热的情况下能溶于碱中 [5]  。
以上内容参考：人民网—氮化镓：黑电老牌企业康佳“弯道超车”的助推剂

4. 氮化镓龙头企业是什么？

如下：
1、三安光电
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2、闻泰科技
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。

介绍
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。

5. 砷化镓太阳能电池的介绍

太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。

6. 砷化镓太阳能电池的砷化镓电池的技术发展现状

GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。（GaAs材料的Eg=1.43eV，在上述高效率范围内，理论上估算，GaAs单结太阳电池的效率可达27%）。20世纪60年代，Gobat等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，不过转化率不高，仅为9%～10%，远低于27%的理论值。20世纪70年代，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE(液相外延)技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL(HughesResearchLab)及Spectrolab通过改进了LPE技术使得电池的平均效率达到18%，并实现了批量生产，开创了高效率砷化镓太阳电池的新时代[4]。从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。

7. 铜铟镓硒太阳能电池板的产业的发展

铜铟镓硒薄膜太阳能电池产业的发展CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强，光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首，接近于目前市场主流产品晶体硅太阳电池转换效率，成本却是其1/3。正是因为其性能优异被国际上称为下一代的廉价太阳电池，无论是在地面阳光发电还是在空间微小卫星动力电源的应用上具有广阔的市场前景。CIGS电池具有与多晶硅太阳能电池接近的效率，具有低成本和高稳定性的优势，并且产业化瓶颈已经突破，在晶体硅太阳能电池原材料短缺的不断加剧和价格的不断上涨背景下，很多公司投入巨资，CIGS产业呈现出蓬勃发展的态势。目前全球有30多家公司置身于CIGS产业，但真正进入市场开发的公司只有德国的Wuerth（伍尔特）、Surlfulcell，美国的Global Solar Energy，日本的Honda（本田）、Showa Solar Shell。2006年、2007年世界CIGS电池组件产能分别为17.5MW、60.5MW，在世界光伏市场上占据的份额很小。中国的CIGS产业远远落后于欧美和日本等国家和地区，南开大学以国家“十五”“863”计划为依托，建设0.3MW中试线，现已制备出30cm×30cm效率为7%的集成组件样品。2008年2月，山东孚日光伏科技有限公司宣布与德国的Johanna合作，独家引进了中国首条CIGSSe（铜铟镓硫硒化合物）商业化生产线。当前全球大环境景气不佳，传统硅晶太阳能电池厂正面临售价跌破成本压力，但薄膜太阳能电池具成本优势，逐步崭露头角。全球经济衰退意味着投资风险的加大，而中外风投却在这时不惧风险，集体逆市投资太阳能薄膜电池。薄膜电池已成为国内光伏领域新的投资热点。其中CIGS转换效率足以媲美传统太阳能电池，加上稳定性和转换效率都已相当优异，被视为是相当具有潜力的薄膜太阳能电池种类。未来几年，CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池的销售将会加速增长，到2015年，CIGS将占薄膜太阳能电池市场的43.3%。

8. 中国氮化镓生产十大企业

中国氮化镓生产十大企业如下：
1、中国苏州能讯
2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。
产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。
芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。
氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。
2、苏州晶湛
2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。
产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。
技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。
3、珠海英诺赛科
成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。
产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。
技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。
4、重庆华润微
2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。
产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。
5、杭州士兰微
成立于1997年9月，总部在中国杭州。
2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成
2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。
产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。
技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。
7、台湾积体电路制造
成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。
产品技术：6英寸的GaN-on- Si。
8、三安集团
于2000年11月成立，坐落于厦门。
产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。
技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。
9、苏州捷芯威
成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。
产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。
单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。
10、大连芯冠
2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。
产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。
技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。