内存颗粒参数的含义

1. 内存颗粒参数的含义

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。

2. 请问如何在电脑上知道内存的颗粒厂商

可以知道的，有两种方法可以。

1，可以通过cmd命令进行查看自己电脑的内存品牌，方法如下使用win键加r快捷方法打开



2，在打开的命令行模式中输入wmic，按键盘上的回车键确认，如下图。



3，接着继续输入memorychip命令，按键盘上的回车键确认，如下图。



4，还有一个方法，打开鲁大师，点击硬件检测。


扩展资料：

随机存取所谓随机存取，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入。
静态随机存取存储器，静态随机存取存储器，位置无关。相对的，读取或写入顺序访问Sequential Access存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系它主要用来存放操作系统各种应用程序数据等。
当RAM处于正常工作时可以从RAM，中读出数据也可以往RAM中写入数据与ROM相比较RAM的优点是读写方便使用灵活特别适用于经常快速更换数据的场合。
参考资源来源：百度百科-随机存取存储器

3. 请问如何在电脑上知道内存的颗粒厂商

可以知道的，有两种方法可以。

1，可以通过cmd命令进行查看自己电脑的内存品牌，方法如下使用win键加r快捷方法打开



2，在打开的命令行模式中输入wmic，按键盘上的回车键确认，如下图。



3，接着继续输入memorychip命令，按键盘上的回车键确认，如下图。



4，还有一个方法，打开鲁大师，点击硬件检测。


扩展资料：

随机存取所谓随机存取，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入。
静态随机存取存储器，静态随机存取存储器，位置无关。相对的，读取或写入顺序访问Sequential Access存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系它主要用来存放操作系统各种应用程序数据等。
当RAM处于正常工作时可以从RAM，中读出数据也可以往RAM中写入数据与ROM相比较RAM的优点是读写方便使用灵活特别适用于经常快速更换数据的场合。
参考资源来源：百度百科-随机存取存储器

4. 生产内存颗粒的厂商有哪几家?

三星，海力士，力晶，华邦，奇梦达。
韩国的三星内存颗粒可能当下最多产能的，标识也比较明显分为两种。一种是直接带有samsung标志，另外一种则是sec英文开头。海力士与前生的现代颗粒合二为一，hynix标志为现代，S K hynix标志为现在的海力士。
力晶，中国台湾内存颗粒生产厂商，其简称为PSC，标志明显。与南亚、茂矽并称台湾内存制造业三巨头。华邦也是台湾著名的内存芯片生产商，内存芯片标志为Winbond。奇梦达是英飞凌科技公司旗下，总部位于德国慕尼黑，德国最大的半导体产品制造商。事后我国的浪潮集团收购。

生产内存颗粒注意事项
通常内存颗粒里面都有无数电路单元，因此很容易产生不良品（Low yield），如果把颗粒打散混杂生产，那么隐患就不可避免了，有些不正规生产商就会选择这样未经过检测程序的半成品晶圆进行封装加工为内存模组，这样生产出来的内存颗粒，品质是毫无保障的。
而品牌内存芯片出厂必须严格经过前工序、后工序和检测工序三个阶段。前工序将高纯度硅晶片切割为晶圆芯片（die），进行简单的EDS测试完成基本功能测试；后工序对晶片做I/O设置和保护；检测工序对芯片所有电性参数进行全面测试，这一工序最重要时间也最长，大约需要将近1000秒。

5. 内存颗粒的颗粒容量

例：samsungk4h280838b-tcb0主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表dram。第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

6. 内存颗粒 规格

通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

7. 内存颗粒是什么

内存颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。因此，一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。同时不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚、茂矽等。
含义解释　　例：samsungk4h280838b-tcb0
　　以上的代码的主要含义：
　　第1位芯片功能k，代表是内存芯片。
　　第2位芯片类型4，代表dram。
　　第3位芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
　　第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
　　第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
　　第14、15位芯片的速率，如60为6ns;70为7ns;7b为7.5ns(cl=3);7c为7.5ns(cl=2);80为8ns;10为10ns(66mhz)。

8. 内存颗粒是什么

内存颗粒是内存条重要的组成部分，内存颗粒将直接关系到内存容量的大小和内存体制的好坏。因此，一个好的内存必须有良好的内存颗粒作保证。同时不同厂商生产的内存颗粒体制、性能都存在一定的差异，一般常见的内存颗粒厂商有镁光、英飞凌、三星、现代、南亚、茂矽等。
含义解释　　例：samsungk4h280838b-tcb0
　　以上的代码的主要含义：
　　第1位芯片功能k，代表是内存芯片。
　　第2位芯片类型4，代表dram。
　　第3位芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
　　第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量;28、27、2a代表128mbit的容量;56、55、57、5a代表256mbit的容量;51代表512mbit的容量。
　　第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
　　第14、15位芯片的速率，如60为6ns;70为7ns;7b为7.5ns(cl=3);7c为7.5ns(cl=2);80为8ns;10为10ns(66mhz)。